据《首尔经济日报》周日报道，三星电子将采用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）芯片生产基础裸片。若报道属实，这将是三星首次在HBM制造环节与台积电合作。

该报道援引行业消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技在NVHBM基础裸片上采用台积电工艺，核心裸片则使用第六代DRAM技术。NVHBM于今年8月发布，其特点是将英伟达定制内存控制器集成进基础裸片，目的是让不同内存供应商的产品在实现方式上趋于标准化。

报道称，三星经过内部审查后接受了英伟达的要求，但计划对标准HBM以及其他客户的定制产品继续保留自产模式。另据未具名消息人士透露，三星还在评估：如果需求超出台积电产能，其自有晶圆代工业务能否承担NVHBM基础裸片的生产。