美国商务部签署了多项意向书，拟根据《芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act）提供高达3.89亿美元的研发奖励，涉及领域包括核聚变电力电子、人工智能（AI）数据中心电力输送以及半导体材料。拟议的资金包包括：向Helion公司提供高达1.75亿美元，向Commonwealth Fusion Systems公司提供高达8500万美元，向Vertical Semiconductor公司提供高达7300万美元，以及向Sibelco公司提供高达5600万美元。作为获得奖励的条件，商务部将在每家公司中持有少数、非控股且无投票权的股权。

Vertical Semiconductor的项目提供了最直接的AI基础设施应用案例：开发垂直氮化镓（GaN）FinFET功率晶体管，并针对2.5兆瓦（MW）的AI机架进行演示。这家麻省理工学院（MIT）的衍生公司表示，该举措将在数据中心电源链中部署这些器件，设计目标是将能源损耗降低30%，并将物理占用空间减少50%。需要注意的是，这些是开发目标；公告中并未指定比较基准，也未报告已完成的机架演示结果。

Helion公司表示，其拟议的奖励将伴随5000万美元的私人投资，用于支持华盛顿州的半导体研发、先进封装和制造能力，以及与佛蒙特州合作伙伴进行的工具开发。Commonwealth Fusion Systems拟议的工作涵盖用于等离子体加热、诊断和高辐射环境的电子设备。Sibelco的项目将通过浸出、热氯化、产品工程和试点设施来推进高纯度石英的发展。目前这些宣布仍处于意向书阶段；Sibelco明确指出，尽职调查、谈判和政府批准仍是待完成的步骤。

“电力是AI基础设施建设中最显著的瓶颈，”Vertical Semiconductor的首席执行官兼联合创始人Cynthia Liao表示。

分析

技术上的共同点在于电力转换。Vertical Semiconductor将其器件定位为适用于向800 VDC（直流）配电过渡的场景，而Helion则需要能够反复交付和回收大量能量脉冲的开关。在数据中心中，提高配电电压可以在给定功率水平下降低电流，但转换为处理器所需的更低电压仍然是必要的。作为一个说明性计算，在考虑转换损耗之前，2.5 MW的负载在800 V电压下将抽取3,125安培的电流。因此，较高的配电电压仅解决了工程问题的一部分；转换、保护和冷却仍然至关重要。

机架演示仍是一个开发里程碑，而非商业部署的证据。有益的后续披露应包括效率测量边界、运行负载、热条件以及Vertical Semiconductor百分比目标背后的基准。Sibelco的工作解决了另一个约束条件：半导体生产所用材料的加工和验证。总体而言，这些项目将能源系统与构建它们所需的器件和材料联系起来，但仍留有大量的开发和奖励最终确定工作有待完成。