诺基亚光模块高级副总裁Mehrdad Ziari表示，扩展AI光学连接不仅需要更快的器件，还需要对光子集成和制造能力进行持续投资。10月20日，Ziari在桑尼维尔举行的PECC峰会上发言，将诺基亚的磷化铟（InP）晶圆厂扩张与其在低功耗光模块、异构集成以及简化网络部署方面的工作联系起来。他敦促客户和供应商尽早参与合作，并警告称，制造投资可能需要三到五年时间，而客户可能在12至18个月内就需要新的功能。

Ziari重点介绍了一种单片InP光子集成电路（PIC），该电路集成了四个激光器、八个调制器、八个半导体光放大器和功率监测器。诺基亚在ECOC 2026上的演示展示了一个线性可插拔光学器件（LPO）OSFP模块，该模块以每通道200 Gbps的速度传输八个通道，功耗为8.6 W——在总吞吐量1.6 Tbps下，能效约为5.4 pJ/bit。他还描述了一种混合可调谐激光器，该激光器结合了InP增益与硅光子波长控制功能，演示了超过50 nm的调谐范围。在各代相干光学技术的发展中，Ziari指出，受光子集成、更高符号率、调制技术进步以及系统协同设计的推动，每十年的能效提升了约十倍；图表中还包含了对未来的预测。

制造路线图涵盖诺基亚位于桑尼维尔的传统晶圆厂、位于圣何塞的新建六英寸InP晶圆厂，以及计划将亚利桑那州钱德勒现有的化合物半导体设施转换为六英寸InP生产线的计划。这三处设施的占地面积分别为60,000、185,000和110万平方英尺（约合5,600、17,200和102,200平方米）。这些是设施占地面积，而非直接可比的生产产能数据。诺基亚此前披露的钱德勒协议规定，在获得监管批准的前提下，将从2027年初开始租赁初始制造产能，预计将于2029年第一季度收购整个场地。Ziari表示，规模化还需要自动化制造、可靠的封装以及适用于数百万个光学连接的安装流程。

“我们需要更多地共同交流，”Ziari表示，呼吁客户与光通信供应链之间开展更早的合作。

分析

Ziari的例子联系了两种不同的集成策略。单片InP将光生成、调制和放大结合在单个光子芯片上，而异构集成则将InP增益与基于硅的波长控制功能相结合。他的演讲将这些视为针对不同应用的互补工具。LPO演示展示了集成器件和线性驱动在降低模块功耗方面的潜力，但所展示的结果并未确立完整的主机到主机链路或整个AI架构的功耗。

制造和部署提出了独立的扩展要求。更大的设施占地面积本身并不能确定晶圆产量、良率或合格模块的出货量，且钱德勒的转换仍是一个未来项目。Ziari呼吁客户尽早参与，反映了多年期晶圆厂投资与较短的产品需求周期之间的不匹配。他对可靠性、简化安装和人工智能赋能制造的强调，也将讨论范围从器件速度扩展到了大规模生产、测试和运营光学连接的实际工作。