定义
在硅波导上外延锗材料制成的探测器，是硅光平台实现片上接收的主流方案。
图解
硅光芯片典型构成 硅光芯片把调制器、探测器、分束器、波导做在同一片硅上，用 CMOS 产线量产，这是它能做到低成本高集成的根本原因。但它不能自己发激光——光源必须从外部引进来，这就是「外置光源 ELS」在 CPO/NPO 方案里反复出现的原因。
说明
锗（Ge）探测器是硅光平台上最常用的光探测器。原因很直接：硅在通信波段几乎不吸收光，而锗可以在 1310nm 与 1550nm 波段有效吸收，因此在硅光工艺中通常会在波导上外延生长一层锗来做探测。
把探测器与波导集成在一起（波导集成探测器）是硅光的关键能力之一：光在波导中传输时被锗层逐渐吸收并转换为电流，不需要额外的耦合结构，因此可以实现高密度阵列。
在 CPO/NPO 光引擎中，探测器阵列与调制器阵列通常成对出现，分别负责接收与发射。它们的带宽与暗电流指标共同决定了光引擎的接收性能。
关键数字
1310 / 1550nm锗的有效吸收波段
硅不吸收必须在硅上外延锗的原因
波导集成遂光吸收、无需额外耦合
关键要点
- 解决硅本身在通信波段吸收效率低的问题。
- 锗与硅的晶格失配导致外延工艺难度高，是硅光良率的关键环节之一。