光源与激光器

电吸收调制激光器

Electro-Absorption Modulated Laser · EML
2026 高频词图解EML

定义

把激光器与电吸收调制器单片集成,实现高速调制且线宽特性优良。

图解

四类光源器件的结构差别 · 决定了它们各自能用在多快、多远的地方DFB 分布式反馈有源区(增益)内置布拉格光栅单纵模 · 窄线宽CW DFB 是硅光/CPO外置光源的主力DML 直接调制调制电流有源区(直接开关)用电流开关直接产生光调制结构最简 · 成本最低高速下啁啾大、消光比受限EML 电吸收调制激光器EA 电吸收调制器同一 InP 衬底单片集成长距高速主流消光比好、啁啾小800G / 1.6T 主力VCSEL 垂直腔面光向上出射上反射镜有源层下反射镜850nm 多模短距易做二维阵列成本低、功耗低选型口诀:短距多模看 VCSEL,成本优先看 DML,长距高速看 EML,外置光源与硅光配对看 CW DFB。
四类光源器件结构 DFB、DML、EML、VCSEL 覆盖了从最便宜到最远距的全部需求。硅光和 CPO 方案里出现的通常是 CW DFB——它只负责「稳定地发光」,调制交给硅光芯片上的调制器完成(俗称外置光源 ELS)。

说明

EML(Electro-absorption Modulated Laser)把 DFB 激光器与电吸收调制器(EA)单片集成在同一 InP 衬底上。激光器负责产生稳定光,EA 调制器负责在光通过时按电信号改变吸收量,从而完成调制。

这种分工带来两个优势:一是调制过程中激光器本身保持恒流工作,避免了直接调制带来的波长啁啾;二是 EA 调制器的调制带宽与消光比表现优于直接调制。因此 EML 长期是长距高速光模块的主流光源。

在 800G 与 1.6T 代际,EML 仍是重要的高性能方案,但受制于 InP 衬底产能与器件成本。它的主要竞争者包括硅光调制器(集成度高、成本低)与薄膜铌酸锂调制器(带宽与线性度更好)。

关键数字

单片集成激光器 + EA 调制器同衬底
低啁啾恒流工作带来的优势
InP 衬底产能受上游材料约束

关键要点

  • 长距高速方案的传统主力,200G EML 是 1.6T 模块的关键上游。
  • 2026 年国内厂商推出 200G EML,计划四季度量产,为 2027 年大规模量产做准备。
  • 高端 EML 芯片依旧存在供需缺口,产能是高速模块交付的硬约束。

易混辨析

与 DML 的区别 DML 靠直接开关激光器电流实现调制,结构最简单但高速下啁啾大;EML 把调制交给独立的 EA 调制器,性能更好但结构更复杂、成本更高。
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