定义 利用半导体增益介质直接放大光信号的器件,体积小、可集成。 图解四类光源器件的结构差别 · 决定了它们各自能用在多快、多远的地方DFB 分布式反馈有源区(增益)内置布拉格光栅单纵模 · 窄线宽CW DFB 是硅光/CPO外置光源的主力DML 直接调制调制电流有源区(直接开关)用电流开关直接产生光调制结构最简 · 成本最低高速下啁啾大、消光比受限EML 电吸收调制激光器EA 电吸收调制器同一 InP 衬底单片集成长距高速主流消光比好、啁啾小800G / 1.6T 主力VCSEL 垂直腔面光向上出射上反射镜有源层下反射镜850nm 多模短距易做二维阵列成本低、功耗低选型口诀:短距多模看 VCSEL,成本优先看 DML,长距高速看 EML,外置光源与硅光配对看 CW DFB。四类光源器件结构 DFB、DML、EML、VCSEL 覆盖了从最便宜到最远距的全部需求。硅光和 CPO 方案里出现的通常是 CW DFB——它只负责「稳定地发光」,调制交给硅光芯片上的调制器完成(俗称外置光源 ELS)。 关键要点优势是可与硅光平台集成,适合做片上放大或增益芯片。代价是噪声系数与非线性特性逊于 EDFA,长距系统仍以 EDFA 为主。 相关词条掺铒光纤放大器增益芯片光信噪比 同类词条光源与激光器激光器分布反馈激光器直接调制激光器电吸收调制激光器垂直腔面发射激光器法布里-珀罗激光器可调谐激光器外置光源连续波光源高功率 CW DFB量子点激光器光频梳波长锁定光通信波段线宽相对强度噪声硅基光源增益芯片调制器