光源与激光器

激光器

Laser

定义

产生相干光信号的器件，是光通信发射端的起点。

图解

四类光源器件的结构差别 · 决定了它们各自能用在多快、多远的地方DFB 分布式反馈有源区（增益）内置布拉格光栅单纵模 · 窄线宽CW DFB 是硅光/CPO外置光源的主力DML 直接调制调制电流有源区（直接开关）用电流开关直接产生光调制结构最简 · 成本最低高速下啁啾大、消光比受限EML 电吸收调制激光器EA 电吸收调制器同一 InP 衬底单片集成长距高速主流消光比好、啁啾小800G / 1.6T 主力VCSEL 垂直腔面光向上出射上反射镜有源层下反射镜850nm 多模短距易做二维阵列成本低、功耗低选型口诀：短距多模看 VCSEL，成本优先看 DML，长距高速看 EML，外置光源与硅光配对看 CW DFB。
四类光源器件结构　DFB、DML、EML、VCSEL 覆盖了从最便宜到最远距的全部需求。硅光和 CPO 方案里出现的通常是 CW DFB——它只负责「稳定地发光」，调制交给硅光芯片上的调制器完成（俗称外置光源 ELS）。

关键要点

  • 按材料分 InP 系（1310/1550nm 长距）与 GaAs 系（850nm 短距）。
  • 发光能力是硅光平台的固有短板，因此硅光方案必须外挂光源。

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