定义
在衬底上外延生长出器件所需多层材料结构后的晶圆，是光芯片制造的第一道关卡。
图解
材料平台定位 把材料平台放在「能否自己发光」和「调制带宽」两个维度上，就能看清各自的位置：右上角是空的。InP 能发光但集成度低，硅光集成度高但自己不发光，TFLN 带宽最好但同样要外挂光源。这就是为什么异质集成和「外置光源」会成为产业必答题。
关键要点
- 外延层的厚度与组分均匀性直接决定激光器的良率与波长一致性。
- InP 外延片产能是高速光芯片扩产的先行约束，与衬底缺口叠加放大供给紧张。