定义
直接带隙化合物半导体，是发光器件与高速调制器的主流材料。
图解
InP 衬底供需缺口 InP 衬底短缺是光互连产能的关键约束之一：需求与有效产能之间存在数量级差距，且衬底扩产周期以年计。这解释了为什么「外置光源」「光源冗余」会成为方案设计的核心议题——不是技术偏好，而是供给现实倒逼的。
材料平台定位 把材料平台放在「能否自己发光」和「调制带宽」两个维度上，就能看清各自的位置：右上角是空的。InP 能发光但集成度低，硅光集成度高但自己不发光，TFLN 带宽最好但同样要外挂光源。这就是为什么异质集成和「外置光源」会成为产业必答题。
说明
磷化铟（InP）是光通信中最重要的化合物半导体材料，它的核心优势是能直接发光——这是硅做不到的。因此所有激光器（DFB、EML、DML、可调谐激光器）以及高性能调制器，基本都建立在 InP 体系上。
InP 的短板在于衬底尺寸与产能：主流仍是 3 英寸、4 英寸衬底，大尺寸化进度慢，且晶体生长难度高。这导致 InP 衬底长期处于紧平衡甚至短缺状态——第三方测算（Yole 口径）显示年需求约 260–300 万片，而有效产能约 75 万片，缺口超过 70%。
这个缺口是理解光互连产能瓶颈的关键：激光器与 EML 的产能被上游材料锁死，扩产周期以年计。这也是 CPO/NPO 方案为什么如此强调「外置光源」「光源冗余」等设计的现实原因——不是设计偏好，而是供给约束倒逼。
关键数字
能直接发光InP 不可替代的核心能力
3–4 英寸主流衬底尺寸，大尺寸化缓慢
缺口 >70%第三方测算的供需缺口（Yole 口径）
关键要点
- 2026 年衬底供需高度紧张，第三方机构测算全球需求约 260–300 万片/年，有效产能约 75 万片/年，缺口超 70%。
- 国产化率与扩产节奏是产业链最受关注的卡点之一，直接影响高速光模块交付。
- IDM 模式的光芯片厂商在供给紧张环境下交付优势更明显。
口径提示
InP 供需缺口为第三方机构测算的预测值，非实际成交数据，引用时须注明机构与年份。