材料与芯片平台

砷化镓

Gallium Arsenide · GaAs
GaAs

定义

化合物半导体材料,主要用于 VCSEL 等短距光源。

图解

横轴=调制带宽能力 · 纵轴=能否在同一材料体系内自己发激光能发光 ↑需外挂光源 / 无源 ↓调制带宽 高 →PLC无源SiN低损耗无源硅光CMOS 级集成TFLN带宽最高GaAs850nm VCSELInP光源 + 高速调制没有任何一种材料同时占据右上角。现实组合:硅光做集成底座 + InP 供光 + TFLN 做高性能调制。
材料平台定位 把材料平台放在「能否自己发光」和「调制带宽」两个维度上,就能看清各自的位置:右上角是空的。InP 能发光但集成度低,硅光集成度高但自己不发光,TFLN 带宽最好但同样要外挂光源。这就是为什么异质集成和「外置光源」会成为产业必答题。

关键要点

  • 在 850nm 多模短距方案中长期占据主导。
  • 多模 VCSEL 方案在 CPO 的插座式路线中仍有应用空间。
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