定义 化合物半导体材料,主要用于 VCSEL 等短距光源。 图解横轴=调制带宽能力 · 纵轴=能否在同一材料体系内自己发激光能发光 ↑需外挂光源 / 无源 ↓调制带宽 高 →PLC无源SiN低损耗无源硅光CMOS 级集成TFLN带宽最高GaAs850nm VCSELInP光源 + 高速调制没有任何一种材料同时占据右上角。现实组合:硅光做集成底座 + InP 供光 + TFLN 做高性能调制。材料平台定位 把材料平台放在「能否自己发光」和「调制带宽」两个维度上,就能看清各自的位置:右上角是空的。InP 能发光但集成度低,硅光集成度高但自己不发光,TFLN 带宽最好但同样要外挂光源。这就是为什么异质集成和「外置光源」会成为产业必答题。 关键要点在 850nm 多模短距方案中长期占据主导。多模 VCSEL 方案在 CPO 的插座式路线中仍有应用空间。 相关词条垂直腔面发射激光器多模光纤 同类词条材料与芯片平台硅光磷化铟薄膜铌酸锂氮化硅二氧化硅平面光波电路钛酸钡聚合物光波导异质集成混合集成单片集成光芯片 / 光子集成芯片芯粒光子芯片代工与 PDK外延片