定义
指 InP 衬底、高功率 CW 光源、高端 EML 等关键上游环节的供给紧张与价格上行。
图解
InP 衬底供需缺口 InP 衬底短缺是光互连产能的关键约束之一：需求与有效产能之间存在数量级差距，且衬底扩产周期以年计。这解释了为什么「外置光源」「光源冗余」会成为方案设计的核心议题——不是技术偏好，而是供给现实倒逼的。
光互连产业链五环节 光互连产业链的卡点分布很不均匀：上游是产能与良率问题，下游是标准与话语权问题。判断一家公司的位置，先看它在哪个环节、解决的是哪类卡点，比看它声称的技术路线更有效。
说明
上游材料涨价与缺货是光互连产业链的结构性特征，集中体现在几类关键材料上：磷化铟衬底（激光器与 EML 的基础）、铌酸锂薄膜（TFLN）、以及部分精密光学元件。
缺口的成因各不相同但逻辑相通：需求端被 AI 算力拉动而快速增长，供给端受晶体生长难度、设备产能与扩产周期约束。InP 衬底的第三方测算显示年需求约 260–300 万片而有效产能约 75 万片，缺口超 70%（Yole 口径）。
这一约束会直接改变产品设计：当光源供给紧张时，「减少激光器数量」「外置光源共享」「光源冗余设计」这些方案就不只是技术选择，而是应对供给现实的必然结果。CPO 官方口径中「激光器用量减少约 75%」之所以重要，正是因为对上了这个卡点。
关键数字
InP 衬底缺口最集中的材料
缺口 >70%第三方测算（Yole 口径）
扩产周期以年计供给端弹性的真实约束
关键要点
- 上游头部厂商原材料囤货与预付款激增，锁单行为明显，是景气高位的典型特征。
- 磷化铟衬底、高功率激光芯片、高端封装设备是三大卡点。
- 任一环节薄弱都会成为放量后制约功耗、带宽密度与交付周期的上限。
- IDM 模式的光芯片厂商在供给紧张环境下交付优势凸显。
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口径提示
供需缺口为第三方机构测算的预测值，非实际成交数据，引用时须注明机构与年份。