封装与集成工艺

玻璃通孔

Through-Glass Via · TGV
2026 新词图解TGV

定义

在玻璃基板上制造垂直导电通孔,配合玻璃基板用于高密度封装。

图解

CPO 的物理底座 · 2.5D 是「并排放在转接板上」,3D 是「叠起来」2.5D 封装封装基板硅转接板 Interposer(含 TSV)ASIC交换 / 计算HBM内存光引擎OE光电元件并排放在同一转接板上电距离缩短到百微米级,工艺相对成熟当前 CPO 主流实现路径3D 封装封装基板底层芯片(含 TSV 硅通孔)垂直走线替代水平绕线上层芯片或光引擎HBM 堆叠元件垂直堆叠,走线更短、密度更高散热路径变长,对良率与热管理挑战更大已有厂商展示 3D CPO 方案,量产尚早
2.5D 与 3D 封装剖面 2.5D 封装把 ASIC、HBM、光引擎并排放在同一块硅转接板上,靠转接板内的布线互联;3D 封装则把它们垂直叠起来,走线更短、密度更高,但散热与良率更难控制。CPO 的良率问题很大程度上是先进封装的良率问题,而不是光器件本身的问题。

说明

玻璃通孔(TGV)是用玻璃基板替代硅转接板时的垂直互连工艺。玻璃的介电损耗低、平整度高、热膨胀系数可调,因此被视为下一代高密度载板的候选方案。

引入玻璃的背景是速率提升带来的信号完整性问题:随着高速信号频率上升,传统有机基板的介质损耗越来越难接受,而硅转接板的成本与尺寸扩展性也有限。玻璃在两者之间提供了一个折中。

目前 TGV 与玻璃基板仍处于产业化早期,挑战包括通孔加工质量、与金属层的附着力、以及大尺寸玻璃的机械强度。它属于「方向明确但节奏未定」的技术。

关键数字

低介电损耗玻璃的核心优势
高平整度利于高密度布线
产业化早期技术与节奏均待验证

关键要点

  • 可与玻璃基板的低介电损耗、高平整度优势叠加。
  • 玻璃脆性带来的加工难度是主要工艺门槛。
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