封装与集成工艺

在芯片与基板层面完成高密度互连与多芯片集成的工艺体系，是 CPO 落地的物理前提。

通过中介层或垂直堆叠实现多芯片高密度互连的封装架构。

在硅基板上打出垂直导电通孔，实现上下层之间的电气连通。

在玻璃基板上制造垂直导电通孔，配合玻璃基板用于高密度封装。

用玻璃替代传统有机基板作为封装载板，改善平整度、热膨胀匹配与高频损耗。

通过加热加压实现芯片与基板之间金属直接键合的工艺，是 CPO 组装的关键工序。

把芯片正面朝下、通过凸点直接与基板焊接的封装方式。

用金属细线把芯片焊盘与基板焊盘连接起来的传统封装工艺。

把裸芯片精确贴装到基板或子载板上的工序，精度直接决定光耦合效率。

耦合时是否实时监测光功率并调整位置的两种对准策略。

对准完成后用紫外胶等材料把光学元件固定住的工序。

在晶圆状态下完成封装与测试，再切割成单颗器件的工艺路线。

在芯片与基板之间充当高密度互连载体的硅片，内部通过 TSV 与精细布线实现互连。

承载芯片与光引擎、连接封装内部与电路板的载板，常见为 ABF 载板。

用液体介质带走芯片与光模块热量的散热体系。

利用帕尔贴效应实现制冷的器件，用于稳定激光器与调制器的工作温度。

把光器件封装在密封腔体中，隔绝水汽与污染物。